宜普电源转换公司全力支持工程师参加谷歌与美国电气电子工程师学会（IEEE）联合举办的「Little

宜普电源转换公司全力支持工程师参加谷歌与美国电气电子工程师学会（I海城EEE）联合举办的「Little Box Challenge」挑战赛

宜普电源转换公司肇庆可帮助参赛者于谷歌与IEEE合办的「Little Box Challenge」公开赛通过采用氮化镓(eGaN®)功率晶体管设计出超小型功率逆变器以胜出该挑战赛。

本文引用地址：article/256281.htm

宜普电源转换公司宣布全力支持参加谷歌与IEEE合办的「Little Box Challenge」公开赛的工程师创建更小体积的功率逆变器并赢取100万美元奖金。由于氮化镓场效应晶体管 (eGaN®FET)具有可处理高功率功能、超快开关速度及小尺寸等优势，因此它是功率逆变器的理想晶体管。

「Little Box Challen电导率仪ge」挑战赛的主旨是什么?

「Little Box Challenge」挑战赛旨在鼓励工程师给太阳能功率系统开发出更细小及更廉价的功率逆变器。 逆变器是该系统的一部分，可从太阳能电池把直流电转换成可与目前电力网基础设施兼容的交流电。减低逆变器的成本对太阳能系统的总成本的影响很大。

为何使用氮化镓(eGaN)功率晶体管?

- 高效率/低损耗

与使用MOSFET器件的解决方案相比， 氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的开关性能可实现更高开关频率，从而可缩小储存能量元件的体积，这些元件的体积支配逆变器的尺寸。

- 超快开关速度

由于采用横向结构的氮化镓场效应晶体管的尺寸细小，因此可实现超低电容及零QRR值，同时该器件使用LGA封装，可实现低电感。这些特点使得氮化镓器件可实现前所未有的开关性能 -与MOSFET器件的开关速度相比大约增快一至两倍。 开关速度是提高开关频率的主要因素。

- 小尺寸

氮化镓(GaN)是一种宽频隙器件，与传统MOSFET技术相比，具优越的传导性能，使得器件在相同的导通电阻下(RDS(on))，器件的尺寸可以更细小并具有更低电容。

对参赛者的支持

宜普电源转换公司全力支持这个由谷歌及美国电气电子工程师学会(IEEE)联合举办的「Little Box Challenge」挑战赛。如果您的团队有兴趣探讨利用宜普的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)设计出具高功率密度的逆变器并参加是次比赛，请浏览网页http://epc-co.com/epc/cn/LittleBoxChallenge.aspx?utm_source=LBC&utm_medium=P铰刀R&utm_content=LBC_Landing-Page&utm_campaign=LBCPR。

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